012/6 ـ مدارها و ادوات ميکرو الکترونيک ـ پاييز 2005

Microelectronic Devices and Circuits, Fall 2005, 6.012

شکل شماتيک ترانزيستور اثر ميداني از نوع فلز ـ اکسيد نيمه هادي (ماسفت) مدرن؛ سطح مقطع (بالا)، چيدمان در سطح ويفر (پايين). (تصوير برگرفته از: پروفسور جسوس دل آلامو)

استاد مدرس MIT: پروفسور جسوس دل آلامو استاد مترجم فارسي: دکتر نامدار صنيعی جلسات: دو جلسه / هفته يک ساعت / جلسه   حل تمرين: دو جلسه / هفته يک ساعت / جلسه   مقطع: کارشناسی بازخورد: نظرات و پيشنهادات خود در ارتباط با OCW يا درس حاضر را ارسال نماييد.

نکات برجسته اين دوره

اين درس به صورت مجازي تمامي قسمت‌ها را به شکل آنلاين در بخش‌هاي مختلف از جمله يادداشت‌های درسي و تکاليف ارائه مي‌نمايد.

اين درس در قسمت مواد مطالعاتي شامل امتحانات ترم‌هاي مختلف نيز مي‌باشد.

در اين درس دانشجويان از تارنماي آزمايشگاه ميکرو الکترونيک پروفسور جسوس دل آلامو استفاده مي‌کنند.

شرح مفصل‌تر اين آزمايشگاه در قسمت ابزار مي‌باشد. کتاب مرجع اين درس عبارتست از:

Howe, R.T., and C. G. Sodini Microelectronics, An Integrated Approach.

Upper Saddle River, NJ: Prentice Hall, 1997. ISBN: 013588S183

توصيف دوره درسي 

درس 012/6 پيش نياز دروس دانشکده با تمرکز بر ادوات، مدارها و سيستم‌ها مي‌باشد. سرفصل‌ها شامل اين موارد مي‌باشد. مدل‌سازي ادوات ميکرو الکترونيک، آناليز و طراحي مدارهاي پايه ميکرو الکترونيک، فيزيک الکترونيک اتصالات نيمه هادي و ادوات نيمه هادي اکسيد فلزي (MOS)، ارتباط رفتار الکتريکي با فرآيندهاي فيزيکي داخلي، توسعه مدل هاي مدار و فهم موارد استفاده و محدوديت‌هاي مدل‌هاي متفاوت. اين درس از تکنيک‌هاي فزاينده و سيگنال بزرگ براي آناليز و طراحي مدارهاي ترانزيستور دوقطبي و اثر ميداني همراه با مثال‌هاي منتخب از مدارهاي ديجيتال، تقويت‌کننده‌هاي تک پايانه و خطي ديفرانسيل و ديگر مدارهاي مجتمع استفاده مي‌گردد. اين درس شامل 12 قسمت است و معادل 4 پوئن طراحي مهندسي ارزش دارد.